如何在半导体薄膜生产中，实现纳米级粗糙度的非接触式在线高效率测量与监控？【光谱共焦, 白光干涉, 晶圆检测】

半导体行业对薄膜的微米级甚至纳米级粗糙度有着极其严苛的要求。这不仅仅是为了美观，更是为了确保芯片性能、良率和可靠性的关键因素。

1. 半导体薄膜的基本结构与技术要求

在半导体制造中，薄膜就像是芯片的“皮肤”和“骨架”，承载着电流传导、绝缘、保护等多种功能。这些薄膜通常厚度极薄，从几纳米到几微米不等。它们通过原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种精密工艺在晶圆表面形成。

想象一下，一块半导体晶圆就像一张超平整的画板，而薄膜就是画在上面的各种精细线路和功能层。如果这张画板的表面不够平整，哪怕是肉眼难以察觉的微小凸起或凹陷（即粗糙度），都会带来一系列严重问题：

• 电学性能受损：粗糙度过高会导致电流路径不一致，增加电阻，甚至引起漏电，影响芯片的运行速度和稳定性。就像水流过布满石头的河床，会比平滑的河道更慢、更不稳定。

• 后续工艺挑战：在薄膜上进行光刻、刻蚀等后续步骤时，粗糙的表面会使光刻胶涂布不均匀，影响图形转移的精度，导致线路变形或断裂。这就像在粗糙的纸上画画，很难画出平直精细的线条。

• 材料界面问题：粗糙的界面会减少层与层之间的有效接触面积，降低薄膜的附着力，更容易出现分层、剥落等机械失效问题。就像两块粗糙的木板用胶水粘合，远不如两块光滑木板粘合得牢固。

• 光学性能影响：对于光学薄膜或需要光学检测的层，表面粗糙度会引起光散射，降低透射率或反射率，影响光学传感器的性能。

因此，半导体薄膜的粗糙度控制必须达到微米级甚至纳米级的精度，以确保每一层都平整、均匀，从而保证最终芯片的优异性能。

2. 半导体薄膜粗糙度相关监测参数简介

为了量化和评价薄膜的粗糙度，行业内定义了一系列参数和评价方法。这些参数能帮助工程师了解薄膜表面的微观起伏特征，从而进行质量控制和工艺优化。

• 算术平均粗糙度（Ra）：这是最常用的一种粗糙度参数。它表示在取样长度内，所有测量点相对于平均线的高度绝对值的算术平均值。你可以把它想象成把所有微观的“山峰”和“山谷”的高度加起来取平均，数值越小代表表面越光滑。

• 均方根粗糙度（Rq 或 RMS）：这个参数在取样长度内，表示所有测量点相对于平均线的高度平方的平均值的平方根。与Ra相比，Rq对表面上偶尔出现的较大峰值或谷值更敏感，因为它对偏差进行平方处理，放大了较大起伏的影响。因此，Rq能更好地反映表面粗糙度的波动性。

• 最大粗糙度深度（Rz 或 Rmax）：它表示在取样长度内，最大峰高与最大谷深之和。这个参数能直接反映表面起伏的极端情况，对于评估是否存在潜在缺陷或损伤非常重要。

• 轮廓峰值数（PPC）和轮廓谷值数（VVC）：这些参数统计了表面轮廓中高于或低于特定阈值的峰值和谷值的数量。它们可以帮助我们了解表面纹理的密度和分布，例如，是稀疏的大起伏还是密集的细小波纹。

• 支撑长度率（Tp）：表示在特定截面深度处，表面材料所占的比例。这个参数对于研究表面承载能力、润滑性能以及材料接触特性很有意义。

这些参数的计算通常需要先通过仪器获取薄膜表面的二维轮廓线或三维形貌数据，然后依据特定的取样长度和滤波器进行数据处理和分析。

3. 实时监测/检测技术方法

满足半导体薄膜微米级粗糙度要求的关键在于选择合适的检测技术。目前市面上有多种精密测量方案，它们各有千秋，适用于不同的应用场景。

3.1 市面上各种相关技术方案

3.1.1 光谱共焦测量技术

光谱共焦测量是一种非接触式光学测量技术，特别适合测量透明、半透明、高反光以及陡峭斜面等复杂表面的粗糙度。它的工作原理非常巧妙：

想象一束宽带白光（就像彩虹光），通过一个特殊的透镜系统照射到样品表面。这个透镜系统有一个神奇的特性，叫做色散，它会把不同颜色的光聚焦在不同的高度上。就像你用放大镜看东西，不同的焦距能看到不同深度的细节。这样，在垂直于样品表面的方向上，就形成了一串连续的“颜色焦点链”，每个颜色（波长）都对应一个特定的焦点深度。

当这束“彩虹光”打到样品表面时，只有恰好聚焦在样品表面的那个波长的光，才能被清晰地反射回来。这些反射光通过一个共焦针孔——一个很小的孔洞，它只允许来自焦点平面的光线通过，有效抑制了来自焦平面以外的散射光和杂散光。通过针孔的光线被收集，并被一个光谱仪分析。光谱仪会精确识别出反射光中最强的那个波长。由于我们预先知道每个波长对应的焦点深度，所以一旦测得反射光最强的波长，就能立即反推出样品表面的精确高度。

其核心物理基础在于：

• 色散原理 (Chromatic Dispersion)：透镜的焦距f随入射光波长λ的变化而变化。 Z = f(λ) 其中，Z是焦点位置（高度），λ是波长。通过标定波长与焦点位置的对应关系，可以根据反射光的最强波长来确定距离。

• 共焦原理 (Confocal Principle)：通过在照明光路和检测光路中设置共轭的针孔，可以有效滤除焦平面外的散射光，确保只有焦平面上的信号被探测器接收，从而提高轴向分辨率和对比度。反射光信号强度 I(Z) 在焦点处达到峰值。

这种技术具备以下典型性能参数：轴向分辨率通常可以达到10纳米以下，这意味着它能分辨极其微小的垂直高度变化；横向分辨率一般在数微米级别，取决于光学设计和光斑尺寸；测量速度非常快，每秒可完成数千次点测量，非常适合在线高速检测。

优点：* 非接触式：对样品无损伤，特别适合脆弱的半导体薄膜。* 高轴向分辨率：纳米级的高度分辨率，能精确捕捉微观粗糙度。* 多材质适应性：对金属、玻璃、陶瓷、镜面等多种材料，包括透明和半透明薄膜，都能进行稳定测量，因为它依赖于光聚焦而非反射率强度。* 对陡峭表面测量能力强：即使是斜度很大的台阶、沟槽或弧面，也能有效测量，有些设备甚至能测到接近90度的倾角。* 多层厚度测量：在测量透明材料时，可以同时识别并测量多个界面的厚度，这在复合薄膜结构中非常有用。* 高速测量：点测量速度快，适合生产线上的实时监测。

缺点：* 横向分辨率受限：相比原子力显微镜等，其横向分辨率通常在微米级别，无法捕捉纳米级的横向细节。* 受光学性能影响：虽然适应性强，但样品表面的光学特性（如强散射或吸光）仍可能影响测量质量。

成本考量：光谱共焦传感器系统通常属于中高端精密测量设备，其成本相对触针式轮廓仪高，但低于高端的白光干涉仪和原子力显微镜。

3.1.2 白光干涉测量技术

白光干涉测量利用光的干涉现象来获取样品表面的三维形貌信息。它通过将一束宽带白光分成两路，一路照射到样品表面，另一路照射到一个高精度的参考镜上。这两路光反射回来后会合，形成干涉条纹。由于白光的相干长度很短（即只能在极小的光程差范围内产生清晰的干涉），只有当样品表面某一点的高度与参考镜的高度非常接近时，才能在该点观察到高对比度的干涉条纹。

通过精确地垂直扫描样品或参考镜，仪器记录下每个像素点出现最清晰干涉条纹时的位置，这个位置就对应了该点的精确高度。将所有点的这些高度信息拼接起来，就能重建出整个样品表面的三维形貌，进而计算出粗糙度参数。

核心物理基础：干涉原理。当两束光波相遇时，它们的振幅会叠加，形成干涉图样。对于白光干涉，当两束光的光程差（OPD，Optical Path Difference）接近于零时，会产生最大对比度的干涉条纹。强度 I = I_ref + I_sample + 2 * sqrt(I_ref * I_sample) * gamma(OPD) * cos(phi)其中，gamma(OPD) 是相干函数，OPD接近0时最大。

典型性能参数：垂直分辨率可达0.01纳米，视场尺寸可达10毫米甚至更大。

优点：* 超高垂直分辨率：能够达到亚纳米级的垂直分辨率，非常适合测量极其光滑的表面。* 非接触式：对样品无损伤。* 测量速度快：可以快速扫描较大的表面区域，获取三维数据。* 重复性好：测量结果通常非常稳定可靠。

缺点：* 对环境振动敏感：由于干涉条纹非常精细，轻微的振动都会影响测量精度。* 对陡峭斜面测量受限：在表面倾角过大时，反射光可能无法被有效收集，导致测量失真或无法测量。* 对表面反射率要求：对于反射率过低或过高的表面，可能难以形成清晰的干涉条纹。* 成本较高：设备通常比较昂贵。

3.1.3 触针式轮廓测量技术

触针式轮廓仪是一种经典的表面粗糙度测量方法，被认为是粗糙度测量的基准之一。它的工作原理直观且可靠：

仪器使用一个非常细小的金刚石触针（通常尖端半径在微米级别），以一个预设的恒定微小力接触样品表面。然后，触针沿着样品表面以恒定速度进行水平移动。当触针遇到表面的“山峰”或“山谷”时，它会随之向上或向下垂直位移。这些垂直位移通过高精度的传感器（如电感式传感器或电容式传感器）被转换为电信号，并记录下来。

这些记录下的电信号会随着触针的移动，描绘出样品表面的二维轮廓曲线。通过对这条曲线进行滤波和计算，就可以得出各种粗糙度参数（如Ra、Rq、Rz等）。为了获得三维粗糙度信息，通常需要进行多条平行轮廓线的扫描，然后通过软件重建。

核心物理基础：机械接触和位移传感。触针的尖端形状和尺寸是关键，直接决定了能探测到的最小横向特征。触针位移 ΔZ = 表面高度 h(x)。

典型性能参数：垂直分辨率可达0.1纳米，触针半径通常为2微米或更小，测量速度相对较慢，一般在0.1-1毫米/秒。

优点：* 测量基准：由于是直接接触测量，其结果被广泛接受并具有良好的溯源性。* 材料普适性：对样品的光学特性（如透明度、反射率）不敏感，适用于各种材料。* 垂直分辨率高：可实现亚纳米级的垂直分辨率。* 成本相对较低：相较于其他光学三维测量设备，入门级触针仪器的成本更经济。

缺点：* 接触式测量：触针会与样品直接接触，可能对软质或脆弱的半导体薄膜造成划伤或损伤。* 测量速度慢：一次只能测量一条线，获取三维数据需要多次扫描，效率较低。* 触针磨损：触针在使用过程中会磨损，需要定期更换和校准。* 横向分辨率受限：横向分辨率主要由触针的尖端半径决定，通常无法探测到纳米级的微细结构。

3.1.4 原子力显微镜（AFM）

原子力显微镜（AFM）是一种能够达到纳米甚至原子级分辨率的超高精度表面形貌测量技术。它的工作原理与触针式轮廓仪有些相似，但作用力级别完全不同。

AFM的核心部件是一个带有极其微小尖锐探针（通常由硅或氮化硅制成，尖端半径只有几纳米）的微悬臂梁。当探针非常靠近样品表面时，探针与样品之间会产生微弱的原子间作用力（包括范德华力、静电力等）。这些作用力会导致悬臂梁发生极其微小的弯曲或振动。

一束激光会照射在悬臂梁的背面，并反射到一个位置敏感探测器（PSD）上。当悬臂梁弯曲时，反射光束的位置会发生微小变化，PSD就能检测到这种偏转。通过一个反馈系统，AFM会保持探针与样品之间的作用力（或悬臂梁的偏转）恒定，并记录下探针在X-Y平面扫描时，为了维持这种恒定作用力所需的Z轴（垂直方向）位置变化。将这些Z轴位置数据绘制出来，就能重建出样品表面的纳米级三维形貌。

AFM通常有多种工作模式，比如接触模式（探针与表面持续接触）、轻敲模式（探针周期性地轻敲表面）等，可以根据样品特性选择合适的模式。

核心物理基础：原子间作用力。当原子间距小于几个纳米时，主要表现为范德华力。悬臂梁弯曲 δ = F / k其中 F 是作用力，k 是悬臂梁的弹性系数（Hooke's Law）。

典型性能参数：垂直分辨率可小于0.1纳米（原子级），横向分辨率可达数纳米，扫描范围通常在数十到数百微米之间，测量速度相对较慢，通常为几行/秒到几十行/秒。

优点：* 超高分辨率：能够达到纳米甚至原子级的垂直和横向分辨率，是测量超精细粗糙度的理想工具。* 三维成像：直接获取样品表面的三维形貌。* 广泛的材料适应性：无需对样品进行特殊处理（如导电镀膜），可直接测量导体、半导体和绝缘体等各种材料。* 可测量多种表面信息：除了形貌，还能通过不同模式获取表面摩擦力、磁性、电性等信息。

缺点：* 测量速度慢：扫描速度非常慢，不适合在线检测或大面积测量。* 扫描范围小：一次扫描的面积通常只有几十到几百微米见方。* 对环境敏感：对振动、温度漂移等环境因素非常敏感，需要严格控制。* 探针损耗：探针在使用中会磨损，也可能损坏样品，需要定期更换。* 操作复杂：对操作人员的技能要求较高。

3.2 市场主流品牌/产品对比

这里我们挑选几个在薄膜粗糙度测量领域领先的国际品牌，看看它们在技术特点和性能参数上的表现。

• 美国布鲁克：

  • 技术类型：白光干涉测量。

  • 核心参数：垂直分辨率可达0.01纳米，视场尺寸最大可达10毫米。

  • 优势与应用：布鲁克的设备以其超高精度和快速的三维表面形貌测量能力著称。它在半导体、MEMS、医疗器械等领域广泛应用于晶圆缺陷检测、薄膜厚度和粗糙度测量，特别适合对大面积区域进行高精度、无损的自动化检测。

• 英国泰勒霍普森：

  • 技术类型：触针式轮廓测量。

  • 核心参数：垂直分辨率可达0.1纳米，标准触针半径为2微米或更小，Z轴测量范围可达数毫米。

  • 优势与应用：作为表面形貌测量领域的百年品牌，泰勒霍普森的触针式设备是粗糙度测量的行业基准之一，提供可靠的溯源性。它适用于各种材料，对光学特性不敏感，常用于实验室精度验证、高精度零部件制造和复杂表面形貌分析。

• 法国斯德威尔：

  • 技术类型：光谱共焦测量。

  • 核心参数：轴向分辨率可达1纳米，测量速度最高可达33,000Hz，最小光斑尺寸可达2μm。

  • 优势与应用：法国斯德威尔的光谱共焦技术在测量陡峭斜面、深孔、透明或半透明薄膜方面表现出色。其高速测量和非接触特性使其成为半导体、3C电子、新能源等领域在线高速检测和自动化测量的理想选择，可应用于晶圆边缘、沟槽底部、多层薄膜厚度与粗糙度检测等场景。部分型号前端实现IP65防护等级，可在有粉尘、水汽环境中使用，可选配备CCL镜头，实时观测测量光斑位置。

• 瑞士纳诺苏夫：

  • 技术类型：原子力显微镜（AFM）。

  • 核心参数：垂直分辨率小于0.1纳米（原子级），侧向分辨率可达数纳米，X-Y轴扫描范围最大可达100x100微米。

  • 优势与应用：纳诺苏夫的AFM设备提供了纳米甚至原子级的超高分辨率，是分析薄膜超精细表面粗糙度、缺陷以及材料微观特性的工具。它适用于材料科学研究、纳米器件开发以及对表面形貌有要求的半导体前沿工艺分析，例如对原子层沉积薄膜的初始形核和生长过程进行表征。

3.3 选择设备/传感器时需要重点关注的技术指标及选型建议

在为半导体薄膜粗糙度测量选择合适的设备或传感器时，需要综合考虑多个关键技术指标，这些指标直接影响测量结果的可靠性和设备的适用性。

1. 分辨率 (Resolution)：

   • 实际意义：指设备能够分辨的最小高度或横向尺寸。

   • 对测量的影响：分辨率越高，越能捕捉到表面最微小的起伏变化。对于半导体薄膜，纳米级甚至亚纳米级的粗糙度是常态，因此需要极高的分辨率。

   • 选型建议：

     • 垂直分辨率：通常半导体行业要求在1纳米甚至更低。如果粗糙度要求特别高（如亚纳米），白光干涉仪和AFM是首选；如果粗糙度在纳米到几十纳米范围，光谱共焦也能很好满足。

     • 横向分辨率：与光斑尺寸或触针半径直接相关。AFM提供纳米级横向分辨率，光谱共焦和白光干涉则在微米级。如果需要分析微米级以下颗粒或划痕，横向分辨率小的设备更合适。

2. 精度 (Accuracy) 与重复性 (Repeatability)：

   • 实际意义：精度指测量结果与真实值之间的接近程度；重复性指多次测量同一位置时，结果的一致性。

   • 对测量的影响：高精度确保测量结果真实可靠，高重复性则保证了测量的稳定性，这对于生产线上的质量控制和工艺监控至关重要。

   • 选型建议：半导体生产线对这两项指标都有极高要求。应选择线性精度达到F.S.（满量程）0.01%甚至更高的设备，并要求其重复性误差远小于被测粗糙度的典型值。可以查阅厂商提供的校准报告和测试数据。

3. 量程 (Measurement Range)：

   • 实际意义：设备能够测量的最大高度差范围。

   • 对测量的影响：量程需要覆盖薄膜可能出现的粗糙度起伏范围，同时也要考虑工件整体的翘曲或台阶高度。

   • 选型建议：根据薄膜的典型粗糙度（例如，是几十纳米还是几微米）以及是否存在宏观形貌（如晶圆翘曲、沟槽深度）来选择。光谱共焦传感器通常有较宽的量程选择（从几十微米到数毫米），能兼顾微观粗糙度与宏观形貌。

4. 光斑尺寸 (Spot Size) / 触针半径 (Stylus Radius)：

   • 实际意义：光学测量的最小测量点直径，或触针式测量的触针尖端半径。

   • 对测量的影响：这个参数决定了设备能够探测到的最小横向细节尺寸。光斑或触针越小，对微观纹理和缺陷的捕捉能力越强。

   • 选型建议：如果需要识别微米甚至亚微米级的划痕、颗粒或局部缺陷，应选择光斑尺寸或触针半径尽可能小的设备。光谱共焦传感器通常提供2微米到10微米的光斑尺寸，AFM的探针半径可达几纳米。

5. 测量速度 (Measurement Speed)：

   • 实际意义：设备每秒能完成的测量点数或扫描面积。

   • 对测量的影响：在自动化生产线中，测量速度直接影响生产节拍和效率。

   • 选型建议：对于在线实时监测，光谱共焦（高端型号每秒可达数万点）和白光干涉（快速区域扫描）是优选。触针式轮廓仪和AFM速度较慢，更适合离线实验室分析或小范围精细测量。

6. 材料适应性 (Material Adaptability)：

   • 实际意义：设备是否能稳定测量不同反射率、透明度和粗糙度的材料。

   • 对测量的影响：半导体薄膜种类繁多，包括金属、介质、半导体材料，有些是透明的。设备必须能稳定测量这些不同特性。

   • 选型建议：光谱共焦对透明、镜面、陡峭表面都有良好的适应性。触针式几乎不受材料光学特性影响。白光干涉对高反和低反表面可能有限制。AFM则对材料的导电性无要求。

7. 最大可测倾角 (Max Measurable Angle)：

   • 实际意义：设备能够稳定测量样品表面的最大坡度。

   • 对测量的影响：在半导体制造中，经常会遇到台阶、沟槽、通孔等具有陡峭侧壁的结构，需要评估其侧壁粗糙度。

   • 选型建议：光谱共焦传感器在这方面表现突出，一些型号可以测量超过60度甚至接近90度的倾角。白光干涉和一些激光共焦设备在这方面可能受限。

3.4 实际应用中可能遇到的问题和相应解决建议

在半导体薄膜粗糙度测量的实际应用中，即使选择了先进的设备，也可能遇到一些挑战。

1. 环境振动干扰

   • 原因与影响：尤其对于光学干涉类和原子力显微镜（AFM）这类高精度设备，即使是微小的环境振动（如机器运转、人员走动）都可能导致测量数据不稳定，产生噪声，甚至无法完成测量。

   • 解决建议：

     • 安装专业防振台：这是最直接有效的方法，能隔离大部分地面和设备带来的振动。

     • 设置独立测量环境：将测量设备放置在远离生产设备和高振动区域的独立房间，或者使用隔音减振罩。

     • 优化测量参数：适当增加数据平均次数，或在振动较小的时间段进行测量。

2. 样品表面污染或损伤

   • 原因与影响：在处理或测量过程中，样品表面可能附着微尘、指纹、油污，或被触针划伤（触针式测量）。这些都会严重影响测量结果的准确性，甚至导致误判。

   • 解决建议：

     • 严格洁净环境：在洁净室或超净工作台内进行样品处理和测量。

     • 规范操作流程：佩戴手套，使用专用吸盘或镊子取放样品，避免直接接触。

     • 优先非接触测量：在条件允许下，选择光谱共焦、白光干涉等非接触式测量技术，避免对样品造成二次损伤。

     • 定期清洁样品：使用半导体行业认可的清洁方法（如超声波清洗、氮气吹扫）对样品进行清洁。

3. 透明/多层薄膜的测量挑战

   • 原因与影响：对于透明或多层结构薄膜，光线可能会穿透表面，在不同界面之间反射，导致传统光学方法难以准确识别表层粗糙度或产生多重反射伪影。

   • 解决建议：

     • 选择光谱共焦技术：光谱共焦技术能够同时识别不同界面的焦点，从而测量各层的厚度和表层粗糙度，无需已知折射率。部分光谱共焦位移传感器，如法国斯德威尔的EVCD系列，单次测量最多可识别5层不同介质。

     • 特定白光干涉模式：部分白光干涉仪通过专门的算法和物镜，也能处理多层膜的测量。

     • AFM或触针式：对于最上层薄膜的粗糙度，AFM和触针式不受透明度影响，但无法测量下层界面的情况。

4. 海量数据处理与分析效率

   • 原因与影响：高分辨率、高速扫描的设备会产生海量的原始数据。如果数据处理软件和硬件性能不足，会影响分析效率，无法及时给出测量结果。

   • 解决建议：

     • 选用高性能控制器和软件：选择具备多核处理器、大内存以及优化数据处理算法的设备。

     • 自动化数据分析：利用设备自带的或第三方数据分析软件，预设粗糙度参数计算和统计分析模板，实现自动化报表生成。

     • 实时分析功能：一些先进设备支持TTV（总厚度变化）、LTW（局部厚度波动）、Ra等参数的实时计算和显示，帮助快速判断质量状况。法国斯德威尔的EVCD系列光谱共焦位移传感器，内置高斯滤波、中值滤波、滑动平均、极值处理等数据优化功能，并支持TTV、LTW、Ra等实时分析。

5. 设备校准与溯源性

   • 原因与影响：任何测量设备都需要定期校准，以确保测量结果的准确性。缺乏有效的校准和溯源体系，测量数据就可能不可靠，无法用于关键决策。

   • 解决建议：

     • 定期使用标准块校准：按照设备厂商推荐的周期，使用经认证的粗糙度标准块对设备进行校准。

     • 选择具备溯源能力的厂商：优先选择那些能够提供符合国际标准（如ISO、JIS等）校准服务的厂商。

     • 建立内部校准规范：制定详细的设备操作、维护和校准SOP，确保每次测量的环境和方法一致。

4. 应用案例分享

• 晶圆表面平整度及粗糙度检测：在晶圆制造和薄膜沉积前，对晶圆表面进行高精度粗糙度测量，确保其达到纳米级平整度，为后续光刻和薄膜生长提供理想的基础表面，从而提升芯片良率和性能。

• 薄膜沉积工艺实时监控与优化：在原子层沉积、化学气相沉积等薄膜生长过程中，可利用在线光谱共焦传感器实时监测薄膜表面粗糙度的变化，及时调整工艺参数，确保薄膜均匀、致密，并符合设计要求。

• 硅片、碳化硅片、砷化镓片等衬底材料的缺陷检测：精确测量衬底表面的微米级划痕、颗粒、抛光残留等缺陷，这些缺陷是导致器件失效的重要因素，通过高分辨率的粗糙度分析能够有效识别并控制。

• CMP（化学机械抛光）过程质量评估：CMP是半导体制造中的关键平坦化工艺。通过高精度粗糙度测量，评估抛光后的表面平整度、残余粗糙度以及是否存在抛光划痕或凹陷，确保达到后续光刻所需的表面质量。